2 godzin temu
Południowokoreański gigant branży pamięci, firma SK hynix, oficjalnie rozpoczął proces wejścia na amerykańską giełdę.
Według najnowszych doniesień z 25 marca 2026 roku, spółka złożyła poufny wniosek (Form F-1) do Amerykańskiej Komisji Papierów Wartościowych i Giełd (SEC) w celu emisji amerykańskich kwitów depozytowych (ADR). Ten strategiczny ruch ma na celu pozyskanie od 6,7 do choćby 10 miliardów dolarów świeżego kapitału, co uczyniłoby tę ofertę jednym z największych debiutów zagranicznej firmy w USA w ostatnich latach.
Głównym motorem napędowym tej decyzji jest kolosalny popyt na zaawansowane pamięci HBM (High Bandwidth Memory), które są kluczowym komponentem akceleratorów AI. Pozyskane środki mają zostać przeznaczone przede wszystkim na rozbudowę infrastruktury sztucznej inteligencji oraz zwiększenie mocy produkcyjnych pamięci nowej generacji, w tym nadchodzących układów HBM4. SK hynix, będący w tej chwili liderem w dostarczaniu pamięci HBM3E dla platformy Rubin od Nvidii, chce umocnić swoją pozycję w obliczu narastającej konkurencji ze strony Samsunga i Microna.
Przewodniczący Grupy SK, Chey Tae-won, potwierdził plany wejścia na rynek amerykański podczas niedawnej konferencji Nvidia GTC 2026 w San Jose. Zaznaczył on, iż celem firmy jest stanie się podmiotem globalnym, oferującym ekspozycję na swój sukces nie tylko inwestorom koreańskim, ale także globalnym funduszom instytucjonalnym. Analitycy wskazują, iż listing w USA ma pomóc w zniwelowaniu tzw. luki wycenowej (valuation gap) względem amerykańskich konkurentów, którzy często są wyżej wyceniani przez rynek mimo podobnych wyników finansowych.
Chociaż SK hynix rozważał wcześniej wykorzystanie akcji własnych do sfinansowania programu ADR, najnowsze raporty sugerują, iż spółka może zdecydować się na emisję zupełnie nowych akcji, aby zmaksymalizować wpływy na inwestycje w AI. Decyzja ta zapada w kluczowym momencie, gdy eksperci przewidują utrzymujący się „supercykl” na rynku pamięci masowych, napędzany przez infrastrukturę serwerową i modele językowe nowej generacji.
