Dyrektor generalny SK hynix, Kwak Noh-Jung, podczas swojego przemówienia programowego zatytułowanego „Nowa podróż w pamięci AI nowej generacji: poza sprzętem do codziennego życia” na szczycie SK AI Summit w Seulu przedstawił publiczny rozwój pierwszego w branży dysku 48 GB 16-high – najwyższa na świecie liczba warstw, a następnie produkt o wysokości 12 – HBM3E. Kwak podzielił się także wizją firmy, aby stać się „dostawcą pamięci Full Stack AI”, czyli dostawcą pełnej gamy produktów pamięci AI w przestrzeniach DRAM i NAND, dzięki ścisłej współpracy z zainteresowanymi stronami.
Podsumowanie komentarzy dyrektora generalnego Kwak Noh-Junga
- Pamięć, która w przeszłości istniała na poziomie „osobistym” z danymi przechowywanymi na komputerach osobistych lub telefonach, w tej chwili osiągnęła poziom „połączony” dzięki usługom w chmurze i kanałom mediów społecznościowych
- W przyszłości, wraz z dalszym rozwojem sztucznej inteligencji, pamięć będzie istnieć w rozszerzonym zakresie „kreatywności i doświadczenia”
- „Kreatywna pamięć”, o której marzy SK hynix, nie może urzeczywistnić się bez pamięci półprzewodnikowej nowej generacji, która zapewnia dużą moc obliczeniową
- Firma SK hynix przygotowywała się do wprowadzenia różnych produktów „pierwszych na świecie”, będąc pierwszą firmą w branży, która opracowała i rozpoczęła wysyłkę masową
- Firma planuje również produkty „Beyond Best”, charakteryzujące się najwyższą konkurencyjnością w branży i „Optymalnymi innowacjami” dla systemów w erze sztucznej inteligencji
- Oczekuje się, iż rynek HBM o wysokości 16 otworzy się wraz z generacją HBM4, ale SK hynix opracowuje pamięć HBM3E o pojemności 16 GB o pojemności 16 GB, chcąc zapewnić stabilność technologiczną i planuje dostarczać próbki klientom na początku przyszłego roku
- SK hynix zastosuje zaawansowany proces MR-MUF, który umożliwił masową produkcję produktów o wysokości 12 w celu wytworzenia HBM3E o wysokości 16, jednocześnie opracowując technologię łączenia hybrydowego jako zabezpieczenie
- Produkty 16-high zapewniają poprawę wydajności o 18% podczas treningu i 32% w zakresie wnioskowania w porównaniu z produktami 12-high. W związku z oczekiwanym rozwojem rynku akceleratorów AI do wnioskowania, prognozuje się, iż 16 najlepszych produktów pomoże firmie w przyszłości umocnić swoją wiodącą pozycję w dziedzinie pamięci AI
- SK hynix opracowuje także moduł LPCAMM2 do komputerów PC i centrów danych, LPDDR5 i LPDDR6 oparte na technologii 1cnm, w pełni wykorzystując swoją konkurencyjność w zakresie produktów o niskim poborze mocy i wysokiej wydajności
- Firma przygotowuje również dyski SSD 6. generacji PCIe, eSSD o dużej pojemności oparte na QLC i UFS 5.0
- SK hynix planuje zastosować proces logiczny na matrycy podstawowej generacji HBM4 poprzez współpracę z wiodącą światową odlewnią logiczną, aby zapewnić klientom najlepsze produkty
- Dostosowany HBM będzie produktem o zoptymalizowanej wydajności, który odzwierciedla różne wymagania klientów dotyczące pojemności, przepustowości i funkcjonalności i oczekuje się, iż utoruje drogę nowemu paradygmatowi w pamięci AI
- Ponieważ zasilanie systemu AI wymaga gwałtownego zwiększenia pojemności pamięci zainstalowanej w serwerach, SK hynix przygotowuje CXL Fabrics, który umożliwia wysoką pojemność poprzez połączenie różnych pamięci, jednocześnie rozwijając dyski eSSD o bardzo dużej pojemności, aby umożliwić więcej danych na mniejszej przestrzeni przy niskim poborze mocy
- SK hynix opracowuje także technologię, która dodaje do pamięci funkcje obliczeniowe, aby pokonać tzw. ścianę pamięci. Technologie takie jak Processing Near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM), Computational Storage, niezbędne do przetwarzania ogromnych ilości danych w przyszłości, będą wyzwaniem, które zmieni strukturę systemu AI nowej generacji i przyszłość branży AI
