Kioxia angażuje się w badania i rozwój pamięci półprzewodnikowej, która jest niezbędna dla rozwoju sztucznej inteligencji i cyfrowej transformacji społeczeństwa. Oprócz najnowocześniejszej technologii trójwymiarowej (3D) pamięci flash BiCS FLASH, Kioxia przoduje w badaniach nad pojawiającymi się rozwiązaniami pamięci. Firma nieustannie dąży do zaspokojenia potrzeb przyszłych systemów obliczeniowych i pamięci masowej dzięki innowacyjnych produktów pamięciowych.
Istniejące systemy komputerowe wykorzystują DRAM, główne urządzenie pamięci umożliwiające procesorowi szybkie przetwarzanie danych, wraz z pamięcią flash do przechowywania dużych ilości danych. Kioxia stoi na czele badań i rozwoju pamięci klasy pamięci masowej (SCM), rozwiązania pamięciowego umiejscowionego pomiędzy pamięcią DRAM a pamięcią flash w hierarchii pamięci półprzewodnikowej, zaprojektowanego do obsługi większych ilości danych niż DRAM i z większą szybkością niż pamięć flash.
Na targach IEDM Kioxia zaprezentuje najnowocześniejsze technologie dostosowane do każdej z trzech półprzewodnikowych warstw pamięci: nowy typ pamięci DRAM wykorzystujący półprzewodniki tlenkowe ze szczególnym naciskiem na zmniejszenie zużycia energii, pamięć MRAM odpowiednią do większych pojemności w zastosowaniach SCM oraz nowatorską strukturę 3D pamięć flash o doskonałej gęstości bitowej i wydajności.
Nowe technologie pamięci:
- DRAM z tranzystorem tlenkowo-półprzewodnikowym (OCTRAM):
- Technologia ta została opracowana wspólnie przez Nanya Technology i Kioxia Corporation. Firmy opracowały tranzystor pionowy, który poprawia integrację obwodów poprzez usprawnienie procesu produkcyjnego. Firmy osiągnęły wyjątkowo niski poziom upływu prądu, podkreślając adekwatności tranzystora dzięki półprzewodnika tlenkowego. Może to potencjalnie obniżyć zużycie energii w szerokim zakresie zastosowań, w tym w systemach komunikacji AI i post-5G, a także w produktach IoT.
- Tytuł artykułu: DRAM z tranzystorem kanałowym tlenkowo-półprzewodnikowym (OCTRAM) w architekturze 4F2
- Technologia Crosspoint MRAM o dużej pojemności:
- Technologia ta została opracowana wspólnie z SK hynix Inc. i Kioxia Corporation. Dzięki tej technologii firmy osiągnęły operacje odczytu/zapisu komórek w najmniejszej w historii skali połowy podziałki komórek wynoszącej 20,5 nanometra dla pamięci MRAM, łącząc technologię ogniw łączącą selektory odpowiednie dla dużych pojemności ze złączami tunelu magnetycznego oraz zastosowaną technologię precyzyjnego przetwarzania dla tablice typu crosspoint. Niezawodność pamięci ma tendencję do pogarszania się w miarę miniaturyzacji komórek. Firmy opracowały potencjalne rozwiązanie, wykorzystując nową metodę odczytu, która wykorzystuje przejściową reakcję selektorów i zmniejszając pasożytniczą pojemność obwodów odczytu. Technologia ta ma praktyczne zastosowania w sztucznej inteligencji i przetwarzaniu dużych zbiorów danych.
- Tytuł artykułu: Niezawodne działanie pamięci przy niskim współczynniku zakłóceń odczytu w najmniejszej na świecie komórce 1Selector-1MTJ dla krzyżowej pamięci MRAM o pojemności 64 Gb
- Technologia pamięci 3D nowej generacji z poziomą strukturą układania komórek:
- Kioxia opracowała nową strukturę 3D, aby poprawić niezawodność i zapobiec pogorszeniu wydajności komórek typu NAND. Pogorszenie wydajności zwykle następuje, gdy w konwencjonalnych konstrukcjach zwiększa się liczba ułożonych warstw. Nowa struktura układa komórki typu NAND poziomo, układając je w stosy w porównaniu z konwencjonalną strukturą pionowo ułożonych komórek typu NAND. Taka struktura pozwala na realizację pamięci flash 3D o dużej gęstości bitowej i niezawodności przy niskim koszcie.
- Tytuł artykułu: Doskonała skalowalność zaawansowanej pamięci Flash z poziomym kanałem dla przyszłych generacji pamięci Flash 3D
W ramach swojej misji „podnoszenia poziomu świata za pomocą„ pamięci ”” Kioxia pragnie zapoczątkować nową erę technologii pamięci i będzie przez cały czas promować badania i rozwój technologiczny, aby wspierać przyszłość społeczeństwa cyfrowego.
