3 dni temu
Zgodnie z komunikatem prasowym, SK hynix zaprezentuje swój 16-warstwowy prototyp HBM3E na targach CES 2025, które odbędą się w Las Vegas w dniach 7-10 stycznia.
SK hynix podało, iż 16-warstwowe produkty HBM3E zostały oficjalnie opracowane w listopadzie 2024 r. Producent zapewnił, iż wykorzystuje zaawansowany proces MR-MUF, aby osiągnąć wiodącą konfigurację 16-warstwową, skutecznie minimalizując odkształcenia chipów i optymalizując rozpraszanie ciepła. Według firmy 16-warstwowy produkt HBM3E może poprawić wydajność uczenia się AI i wydajność wnioskowania odpowiednio o 18% i 32% w porównaniu z 12-warstwowym HBM3E o pojemności 36 GB ogłoszonym pod koniec września 2024 r. w masowej produkcji.
W CES 2025 wezmą udział najwyżsi rangą dyrektorzy SK hynix, w tym CEO i prezes Kwak No-jung, prezes AI Infrastructure Kim Joo-sun i dyrektor ds. rozwoju Ahn Hyun.
Oprócz wyczekiwanego 16-warstwowego HBM3E, SK hynix zaprezentuje szeroką gamę produktów pamięci AI, w tym pamięć o dużej przepustowości (HBM) i eSSD, a także rozwiązania dostosowane do pamięci AI na urządzeniu i pamięci AI nowej generacji, jak podano w komunikacie prasowym.
Wśród innych nowości od SK hynix na targach CES 2025 SK hynix zaprezentuje dyski SSD klasy korporacyjnej o dużej pojemności i wysokiej wydajności, aby sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu centrów danych AI. W skład portfolio wejdzie też dysk SSD D5-P5336 o pojemności 122 TB, opracowany przez spółkę zależną Solidigm w listopadzie ubiegłego roku.
Compute Express Link (CXL) i Processing in Memory (PIM) SK hynix zaprezentuje również inne technologie centrów danych nowej generacji, w tym CXL i PIM, a także rozwiązania modułowe, takie jak CMM-Ax i AiMX.
