1 dzień temu
Rywalizacja na rynku pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) wchodzi w nową, bardziej wyspecjalizowaną fazę. Podczas gdy producenci walczą o dominację w segmencie HBM4, giganci tacy jak Samsung, SK hynix i Micron już teraz intensyfikują prace nad kolejną generacją – HBM4E.
Jak informuje serwis The Elec, Samsung planuje sfinalizować projekt swoich niestandardowych układów („custom HBM”) na przełomie maja i czerwca 2026 roku. Branża przewiduje istotną zmianę w podejściu do konstrukcji pamięci. O ile standard HBM4 pozostaje w dużej mierze ujednolicony, to nadchodzące generacje HBM4E (oczekiwana w 2027 r.) oraz HBM5 (2029 r.) mają opierać się na rozwiązaniach niestandardowych, dostosowanych do specyficznych potrzeb klientów.
Samsung mocno dostosowuje swoje struktury do tego trendu. Firma utrzymuje dwa oddzielne zespoły inżynierskie – jeden dla projektów standardowych, drugi dla niestandardowych. Ten ostatni został niedawno wzmocniony o 250 inżynierów, których zadaniem jest tworzenie dedykowanych rozwiązań dla technologicznych gigantów, takich jak Google, Meta czy NVIDIA.
Koreański producent znajduje się już na zaawansowanym etapie prac nad HBM4E, wchodząc w fazę projektowania backendowego matrycy bazowej (base die). Jest to najważniejszy element układu, odpowiadający za sterowanie danymi i korekcję błędów, w którym klienci coraz częściej chcą integrować dodatkowe funkcje logiczne.
Według doniesień ZDNet, Samsung planuje tu agresywny rozwój technologiczny. O ile w komercjalizowanych w tym roku zestawach HBM4 firma stosuje proces 4 nm dla matrycy logicznej, o tyle w przypadku niestandardowych pamięci HBM4E celuje w litografię 2 nm.
