16 godzin temu
Samsung Elektronics po trudnym początku roku znowu przewodzi na globalnym rynku DRAM. Dane ChinaFlashMarket pokazują, iż w trzecim kwartale firma odnotowała niemal 30% wzrost sprzedaży i odzyskała pierwszą pozycję na świecie. Tak dynamiczne odbicie to efekt rosnącego popytu na zaawansowane pamięci dla centrów danych AI.
Samsung znów numerem jeden na rynku DRAM
ChinaFlashMarket poinformowało, iż sprzedaż DRAM Samsunga w trzecim kwartale osiągnęła 13,94 mld USD, co oznacza wzrost o 29,6% kwartał do kwartału. Dzięki temu udział firmy sięgnął 34,8%. Różnica między Samsungiem a SK hynix pozostaje jednak minimalna, bo koreański konkurent zamknął kwartał z wynikiem 13,79 mld USD oraz udziałem 34,4%. Trzecie miejsce przypadło Micronowi, który z przychodami 8,98 mld USD uzyskał 22,4% rynku.
Największy wpływ na pozycję Samsunga miało zwiększenie dostaw HBM, szczególnie najnowszych kości HBM3E piątej generacji. Według CFM firma odnotowała aż 85% wzrost wolumenu wysyłek HBM względem poprzedniego kwartału. To efekt rozpoczęcia dostaw do Nvidii, która wykorzystuje te pamięci w akceleratorach dla centrów danych AI. Jednocześnie rosnące ceny tradycyjnych modułów DRAM przyspieszyły wzrost wartości całego rynku, ponieważ producenci PC i telefonów mierzą się z ograniczoną podażą pamięci.
W ujęciu globalnym trzeci kwartał był rekordowy. Łączna wartość rynku DRAM wyniosła 40,03 mld USD, co oznacza wzrost o 24,7% kwartał do kwartału oraz aż 54% rok do roku. Tak imponująca dynamika potwierdza, jak mocno sztuczna inteligencja przebudowuje rynek półprzewodników i kieruje inwestycje w segment HBM oraz modułów o wysokiej przepustowości.
Silna pozycja Samsunga także w segmencie NAND
Trzeci kwartał przyniósł również solidne odbicie na rynku pamięci NAND. Sprzedaż globalna sięgnęła 18,42 mld USD, co oznacza wzrost o 16,8% względem poprzedniego kwartału. Samsung umocnił się na pozycji lidera z wynikiem 5,36 mld USD oraz udziałem 29,1%. Kolejne miejsca zajęły SK hynix z 19,2%, Kioxia z 16,5%, Western Digital z 12,5% oraz Micron z 12,2%.
W obydwu segmentach widać ten sam mechanizm. Dostawcy pracują przy niskich stanach magazynowych, a popyt jest napędzany inwestycjami w moce obliczeniowe dla modeli generatywnych. Przy rosnącym zapotrzebowaniu na HBM i DDR5 rynek przez cały czas pozostaje nienasycony, co przekłada się na wysokie ceny pamięci.
Perspektywy na kolejny kwartał
ChinaFlashMarket przewiduje, iż korzystny trend utrzyma się również w czwartym kwartale. Niedobory w wielu segmentach oraz ograniczone zapasy producentów będą wspierać dalszy wzrost cen. Analitycy spodziewają się, iż rynek pamięci zarówno DRAM, jak i NAND odnotuje kolejny rekordowy kwartał.
