Proces 3 nm GAA drugiej generacji firmy Samsung wykazuje wydajność na poziomie 20%, a cele produkcyjne nie są realizowane

Najnowsza technologia produkcji półprzewodników firmy Samsung nie spełnia oczekiwań, ponieważ firma ma trudności z osiągnięciem akceptowalnych wskaźników produkcji swoich najnowocześniejszych chipów 3 nm. Najnowsze plotki wskazują, iż obie wersje 3 nm procesu Gate-All-Around (GAA) firmy Samsung produkują mniej opłacalnych chipów, niż oczekiwano. Początkowe cele wyznaczone przez południowokoreańskiego giganta technologicznego zakładały osiągnięcie 70% wydajności w produkcji seryjnej. Jednakże w pierwszej iteracji tej technologii „SF3E-3GAE” udało się osiągnąć jedynie 50–60% realnej wydajności. Bardziej niepokojąca jest wydajność procesu drugiej generacji, w wyniku którego według doniesień uzyskuje się jedynie 20% nadających się do użytku chipów, co znacznie odbiega od zakładanych celów produkcyjnych. Nadchodzący moment jest szczególnie trudny dla firmy Samsung, ponieważ główni klienci zaczynają na nowo oceniać swoje partnerstwa produkcyjne.

Qualcomm zdecydował się produkować swoje najnowsze procesory Snapdragon 8 Elite wyłącznie w procesie technologicznym 3 nm konkurencyjnej firmy TSMC. Jeszcze bardziej wymowny jest exodus południowokoreańskich firm, tradycyjnie lojalnych wobec Samsunga, które teraz zwracają się w stronę bardziej niezawodnych procesów produkcyjnych TSMC. Chociaż Samsung może poszczycić się osiągnięciem wprowadzenia na rynek technologii 3 nm GAA przed konkurencyjnym procesem N3B firmy TSMC, to techniczne zwycięstwo wydaje się puste, jeżeli nie ma możliwości wydajnej masowej produkcji chipów. Rozbieżność pomiędzy aspiracjami Samsunga a rzeczywistością produkcyjną stale się powiększa. Jednak Samsung skupia się na kolejnym kamieniu milowym w technologii. Według doniesień intensyfikują się wysiłki rozwojowe wokół procesu produkcyjnego 2 nm, a planuje się debiut tej technologii w nowym procesorze Exynos (o nazwie kodowej „Ulysses”) dla serii telefonów Galaxy S27 na rok 2027.