LLW DRAM dla telefonów to pamięć inspirowana HBM mająca podnieść przepustowość AI do 128 GB/s

Przy każdej premierze „telefonu z AI” wraca ten sam zgrany, ale wciąż aktualny problem, w którym producenci pompują moc NPU, dorzucają lepsze ISP i szybkie magazyny UFS, a potem cały układ wpada na ścianę, którą stawia pamięć. To nie jest widowiskowy temat, bo trudno sprzedać użytkownikowi opowieść o przepustowości i opóźnieniach DRAM. Tyle iż bez tego lokalne modele językowe, generowanie obrazu czy bardziej złożone funkcje aparatu pracują wolniej.