1 dzień temu
Kioxia, wiodący japoński producent pamięci NAND Flash, 18 grudnia zadebiutował na rynku Prime Market Giełdy Papierów Wartościowych w Tokio, oferując swoją ofertę publiczną (IPO).
Jak napisano w raporcie MoneyDJ, powołującym się na Nikkei, prezes Kioxii, Nobuo Hayasaka, ogłosił 19 grudnia, iż firma planuje nakłonić dwóch głównych udziałowców, Bain Capital i Toshibę, do sprzedaży dodatkowych akcji, aby spełnić wymagania dotyczące kontynuacji notowań. Według raportu Nikkei firmy notowane na rynku Prime Market Giełdy Papierów Wartościowych w Tokio muszą zapewnić, iż co najmniej 35% ich akcji będzie przedmiotem obrotu publicznego w ciągu pięciu lat. w tej chwili wskaźnik akcji publicznych Kioxii jest równy 28%.
Aby spełnić wymagania dotyczące kontynuacji notowań, firma zamierza nakłonić dwóch głównych udziałowców, Bain Capital i Toshibę, do sprzedaży dodatkowych akcji w ciągu najbliższych trzech lat, mając na celu osiągnięcie progu 35% do 2030 r. Warto w tym miejscu wspomnieć, iż po IPO gigant HBM, SK hynix, stał się trzecim co do wielkości udziałowcem Kioxii, wchodząc w posiadanie 14% udziałów, zgodnie z innym raportem Nikkei.
Oprócz przedstawienia planów spełnienia wymagań dotyczących kontynuacji notowań, Hayasaka podkreślił również cel Kioxia, jakim jest zwiększenie rentowności poprzez produkty NAND Flash do zastosowań AI, zgodnie z raportem. Firma zamierza podwoić swój obecny udział w rynku w tym segmencie, dążąc do wzrostu z 9% do 17% w ciągu najbliższych 2-3 lat.
Raport podkreśla również plany Kioxii dotyczące zwiększenia produkcji najnowocześniejszych produktów NAND Flash w zakładzie w Kitakami, którego rozpoczęcie zaplanowano na wrzesień 2025 r. Przewiduje się, iż te produkty NAND Flash nowej generacji zapewnią 80% wzrost prędkości transferu danych.
Jak podaje TrendForce, na rynku pamięci NAND Flash Kioxia zajęła trzecie miejsce pod względem przychodów w trzecim kwartale 2024 r., z 15,1% udziałem w rynku, po Samsungu (35,2%) i SK Group (20,6%) Poza pamięcią NAND Flash firma pracuje również nad technologiami pamięci nowej generacji.
