KIOXIA Europe GmbH oraz Sandisk Corporation zaprezentowały nowej generacji technologię pamięci flash 3D typu Quad-Level-Cell (QLC), która zapewnia wzrost gęstości bitowej choćby o 60% w porównaniu z technologią 8. generacji, przekraczając 37 Gb/mmi#178; i wyznaczając branżowy standard w zakresie gęstości bitowej, wydajności i efektywności energetycznej. Wykorzystując rewolucyjną technologię CMOS directly Bonded to Array (CBA), w ramach której układ logiczny CMOS i macierz pamięci są wytwarzane na oddzielnych płytkach, a następnie łączone przy użyciu precyzyjnego wyrównywania płytek, nowa generacja zwiększaprzepustowość odczytu i zapisu w porównaniu z pamięcią flash 3D 8. generacji i staje się pierwszą w branży technologią pamięci flash 3D typu QLC, która osiąga prędkość 4.8 Gb/s
Komentarze (0)
