Chiński producent pamięci CXMT gwałtownie zwiększa udział w światowym rynku DRAM i równolegle próbuje wejść do segmentu HBM, kluczowego dla akceleratorów AI. Firma rozpoczęła już produkcję HBM3E, a wcześniej rozwijała HBM3 jako pierwszy krok do konkurowania z Samsungiem, SK hynix i Micronem. Problemem pozostaje jednak uzysk. Koreańskie źródła wskazują, iż na etapie łączenia i testowania warstw DRAM CXMT przez cały czas dzieli duży dystans od liderów rynku.