Według doniesień JEDEC zgadza się na zmniejszenie grubości opakowania HBM4

JEDEC przewodniczy w tej chwili standardom dla pamięci o dużej przepustowości szóstej generacji (AKA HBM4) — oczekuje się, iż 12- i 16-warstwowe konstrukcje DRAM osiągną status produkcji masowej w 2026 r. Według Raport ZDNET Korea Południowazaangażowani producenci zastanawiają się nad grubością opakowań HBM4 – rzekomo decydenci zdecydowali się na 775 mikrometrów (μm). Jest on grubszy niż pomiar poprzedniej generacji wynoszący 720 mikrometrów (μm). Samsung Electronics, SK Hynix i Micron badają „łączenie hybrydowe” – nową technologię pakowania, w której wbudowane chipy i płytki są bezpośrednio ze sobą łączone. Oczekuje się, iż wdrożenie wiązania hybrydowego będzie dość kosztowne, dlatego twórcy pamięci dokładnie rozważają, czy HBM4 uzasadnia jego użycie.

ZDNET uważa, iż ​​umowa JEDEC – ustalająca grubość 775 mikrometrów (μm) dla 12-warstwowego i 16-warstwowego HBM4 ułożonego warstwowo – może mieć: „znaczący wpływ na przyszłe trendy inwestycyjne w zakresie opakowań głównych producentów pamięci. Firmy te przygotowują nową technologia pakowania, klejenie hybrydowe, mając na uwadze możliwość ograniczenia grubości opakowania HBM4 do 720 mikrometrów, jednak jeżeli grubość opakowania zostanie zmniejszona do 775 mikrometrów, 16-warstwowe układanie DRAM HBM4 będzie w stanie w wystarczającym stopniu wdrożyć przy użyciu istniejącej technologii klejenia .” Zmieniony harmonogram może opóźnić wprowadzenie połączeń hybrydowych – być może przesunięty w czasie z wprowadzeniem na rynek HBM siódmej generacji. Z raportu wynika, iż ​​inżynierowie pamięci Samsung Electronics, SK Hynix i Micron zamierzają skoncentrować się na unowocześnieniu istniejących technologii łączenia.