Jak podaje koreańska publikacja Hankyung, Samsung przygotowuje się do wprowadzenia na rynek w przyszłym miesiącu pamięci V-NAND (3D NAND flash) dziewiątej generacji. Oczekuje się, iż pamięć flash 3D NAND dziewiątej generacji firmy Samsung będzie oferować 290 warstw, co stanowi krok naprzód w porównaniu z 236-warstwową pamięcią V-NAND ósmej generacji, którą firma zadebiutowała w 2022 r. Według doniesień Samsung osiągnął 290-warstwową gęstość układania w pionie dzięki ulepszeniom jego techniki układania warstw flash, które polegają na zwiększaniu liczby warstw poprzez więcej dziur w pamięci w warstwie flash. Kosztem jest tutaj gęstość danych na płytkę, ale zysk netto wynikający ze wzrostu liczby warstw.
To samo źródło stojące za historią V-NAND dziewiątej generacji informuje również, iż firma planuje wprowadzenie na rynek swojego następcy – V-NAND 10. generacji raczej na początku 2025 roku. Oczekuje się, iż będzie to gigantyczna pamięć flash 3D NAND złożona z 430 warstw, co będzie stanowić skok o 140 warstw w stosunku do modelu 9. generacji (który sam w sobie przeskoczył o 54 warstwy w stosunku do swojego poprzednika). Dzięki temu Samsung powrócił na adekwatne tory wraz z konkurentami, firmami Kioxia, SK Hynix, Micron Technology i YMTC, w dążeniu do ambitnego celu, jakim jest 1000-warstwowa pamięć flash 3D NAND do roku 2030.
Wielkie dzięki dla TumbleGeorge’a za wskazówkę.
