Kioxia opracowuje technologię OCTRAM (DRAM z tranzystorem kanałowym tlenkowo-półprzewodnikowym).

Kioxia Corporation, światowy lider w dziedzinie rozwiązań pamięciowych, ogłosiła dzisiaj opracowanie OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), nowego typu pamięci DRAM 4F2, składającej się z tranzystora tlenkowo-półprzewodnikowego o wysokim prądzie włączenia i ultra- jednocześnie niski prąd wyłączenia. Oczekuje się, iż technologia ta pozwoli na realizację pamięci DRAM o małej mocy poprzez wykorzystanie adekwatności tranzystora InGaZnO o bardzo niskim poziomie wycieków. Po raz pierwszy ogłoszono to podczas Międzynarodowego Spotkania Urządzeń Elektronowych IEEE (IEDM), które odbyło się w San Francisco w Kalifornii 9 grudnia 2024 r. Osiągnięcie to zostało opracowane wspólnie przez Nanya Technology i Kioxia Corporation. Technologia ta może potencjalnie obniżyć zużycie energii w szerokim zakresie zastosowań, w tym w systemach komunikacji AI i post-5G, a także w produktach IoT.

OCTRAM wykorzystuje pionowy tranzystor InGaZnO w kształcie cylindra (rys. 1) jako tranzystor ogniwowy. Konstrukcja ta umożliwia adaptację pamięci DRAM 4F2, która oferuje znaczną przewagę pod względem gęstości pamięci w porównaniu z konwencjonalną pamięcią DRAM 6F2 opartą na krzemie.

Tranzystor pionowy InGaZnO osiąga wysoki prąd włączenia wynoszący ponad 15 μA/ogniwo (1,5 x 10-5 A/ogniwo) i bardzo niski prąd wyłączenia poniżej 1aA/ogniwo (1,0 x 10-18 A/ogniwo) dzięki optymalizacji urządzenia i procesu (ryc. 2). W strukturze OCTRAM pionowy tranzystor InGaZnO jest zintegrowany na kondensatorze o wysokim współczynniku kształtu (proces oparty na kondensatorze). Taki układ pozwala na oddzielenie interakcji pomiędzy zaawansowanym procesem kondensatorowym a wydajnością InGaZnO (ryc. 3).

InGaZnO to związek In (indu), Ga (galu), Zn (cynku) i O (tlenu)

• Niniejsze ogłoszenie zostało przygotowane w celu przekazania informacji na temat naszej działalności i nie stanowi ani nie stanowi części oferty lub zaproszenia do sprzedaży, ani zaproszenia do złożenia oferty zakupu, subskrypcji lub nabycia w inny sposób jakichkolwiek papierów wartościowych w jakiejkolwiek jurysdykcji, ani zachęty do zaangażowania się w działalności inwestycyjnej ani nie może stanowić podstawy jakiejkolwiek umowy z nią związanej ani też nie można na niej polegać w związku z jakąkolwiek umową.
• Informacje zawarte w tym dokumencie, w tym ceny i specyfikacje produktów, zakres usług i dane kontaktowe, są aktualne w dniu ogłoszenia, ale mogą ulec zmianie bez wcześniejszego powiadomienia.