Organizacja JEDEC, światowy lider w opracowywaniu standardów dla przemysłu mikroelektronicznego, opublikowała finalną specyfikację pamięci DRAM układanej w stosy – HBM4 (JESD270-4). Nowa generacja pamięci operacyjnej, przeznaczona dla wysokowydajnych akceleratorów graficznych, oferuje m.in. dwukrotnie większą przepustowość oraz lepszą efektywność energetyczną w porównaniu do poprzedników. Sprawdźmy zatem, co jeszcze zostało ulepszone w nowej iteracji.