4 godzin temu
Pojemność nośników półprzewodnikowych może wzrosnąć czterokrotnie do 2029 roku, przy zachowaniu niskich cen. Kluczem do tego mają być nowe kości pamięci 8 Tb NAND.
Wraz z pojawieniem się pamięci typu 3D NAND około dekadę temu, pojemność nośników półprzewodnikowych gwałtownie wzrosła, a cena za GB stale spada. Za taki stan rzeczy odpowiadają głównie dwa czynniki. Pierwszym z nich jest wzrost liczby aktywnych warstw NAND, a drugim liczba bitów przypadających na komórkę pamięci.
Modele korzystające z 8 Tb NAND mają zadebiutować w 2029 roku
Obecnie większość popularnych rozwiązań korzysta z pamięci QLC NAND o pojemności 2 Tb, a w 2027 roku mają pojawić się pierwsze SSD wykorzystujące 4 Tb 3D NAND. Pozwoli to na podwojenie dostępnej dla użytkowników przestrzeni, przy zachowaniu takiej samej wydajności, temperatur i prawdopodobnie również cen. A to dopiero początek, gdyż w 2029 na rynku mają zadebiutować pierwsze modele wykorzystujące pamięci 8 Tb NAND, kolejny raz dublując przestrzeń magazynową.
Instytut Inżynierów Elektryków i Elektroników (IEEE) przewiduje, iż liczba aktywnych warstw 3D NAND ma wynieść ponad 500 w 2027 roku, przy czym w tej chwili ta liczba plasuje się między 200, a 300. Co ciekawe, producenci pamięci tacy jak SK hynix i Samsung twierdzą, iż w 2029 roku mogą one przekroczyć 1000, jednak IEEE unika aż tak daleko idących wniosków.
Nie jest jednak do końca jasne, co ma zostać osiągnięte jeżeli chodzi o gęstość zapisu oraz architekturę. W udostępnionej tabeli IEEE unika choćby używania powszechnie stosowanej nazwy QLC, a zamiast tego korzysta z TLC+. Może to oznaczać, iż NAND TLC+ zaoferuje możliwości wykraczające poza te oferowane przez zwykłe QLC NAND.
