CXMT osiąga 80% wydajności w przypadku chipów DDR5, trwa produkcja HBM2 i zwiększanie mocy produkcyjnych

Według niedawnej analizy Citigroup, CXMT, chiński producent chipów pamięci, wykazuje znaczny postęp w zakresie wydajności produkcji pamięci DDR5. Wskaźniki wydajności DDR5 firmy osiągnęły około 80%, co oznacza znaczną poprawę w porównaniu z początkowymi 50% wydajnościami w momencie rozpoczęcia produkcji. Postęp ten opiera się na doświadczeniu CXMT w produkcji pamięci DDR4, gdzie firma osiągnęła wydajność na poziomie około 90%. w tej chwili firma posiada dwie fabryki w Hefei, z których Fab 1 jest przeznaczony do produkcji pamięci DDR4 w procesie technologicznym 19 nm i ma zdolność produkcyjną 100 000 płytek miesięcznie. Fab 2 koncentruje się na produkcji DDR5 w technologii 17 nm, przy obecnej wydajności 50 000 płytek miesięcznie. Wydajność pamięci DDR5 CXMT może jeszcze wzrosnąć do około 90% do końca 2025 r.

Pomimo tych usprawnień, CXMT stoi przed wyzwaniami technologicznymi w porównaniu z liderami branży. Obecny proces produkcyjny firmy obejmuje 19 nm dla DDR4 i 17 nm dla DDR5, pozostając w tyle za konkurentami takimi jak Samsung i SK Hynix, którzy produkują 12 nm chipy DDR5. Ta luka technologiczna skutkuje większym zużyciem energii i mniej korzystnymi kształtami produktów CXMT. Firma jest skierowana przede wszystkim do krajowych chińskich klientów OEM zajmujących się telefonami i komputerami. Patrząc w przyszłość, CXMT planuje rozszerzyć swoje możliwości w zakresie pamięci DDR5 i HBM, o potencjalną dodatkową wydajność wynoszącą 50 000 płytek miesięcznie w Fab 2 w 2025 r., jeżeli warunki rynkowe okażą się sprzyjające. Firma czyni także postępy w opracowywaniu HBM2 – realizowane są pobieranie próbek od klientów, a produkcja niskoseryjna ma się rozpocząć w połowie 2025 r.