Chociaż na rynku dostępne jest całe zatrzęsienie SSD od wielu różnych firm, to ich podzespoły są często bardzo podobne. Powód? Jest stosunkowo niewiele producentów kontrolerów oraz kości NAND. Mowa głównie o takich firmach jak Silicon Motion i Phison oraz Kioxia, SK hynix, Micron, YMTC oraz Samsung.
Dzisiaj skupimy się na ostatniej z wymienionych, bowiem z Korei Południowej napływają wieści na temat zbliżającej się premiery. Samsung ma podobno pokazać w maju pamięci V-NAND 9. generacji.
Nowe 3D NAND będzie charakteryzować się budową 290-warstwową, co jest sporym skokiem względem aktualnych kości 232-warstwowych z 2022 roku. Pozwoli to na zaoferowanie pojemniejszych wariantów nośników półprzewodnikowych oraz zmniejszy ich koszty produkcji (chociaż niekoniecznie cenę końcową).
Samsungowi udało się uzyskać taką gęstość dzięki zmianie ułożenia warstw w pionie. Doczekały się one zwiększenia liczby otworów, co zmniejsza gęstość danych per warstwę, ale zwiększa ją w ogólnym rozrachunku.
Co ciekawe, wygląda na to, że na V-NAND 10. generacji poczekamy znacznie krócej, ma się pojawić "wcześnie w 2025 roku". Tutaj przeskok będzie jeszcze większy, mowa bowiem o konstrukcji 430-warstwowej. Dla przypomnienia konkurencja celuje z 1000-warstwowymi pamięciami 3D NAND do 2030 roku.
Zobacz: Piekło zamarzło. Po ponad 30 latach DOOM doczekał się mikropłatności
Zobacz: MSI się wygadało. Procesory AMD Ryzen 9000 są już blisko
Źródło zdjęć: Telepolis / Przemysław Banasiak
Źródło tekstu: Hankyung, TechPowerUP, oprac. własne
